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2SC1383	文件：47.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification) * Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) * Complementary pair with 2SA0683, 2SA0684 For low-frequency power amplification and driver amplification Complementary to 2SA0683, 2SA0684 文件：47.49 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC1383	文件：314.29 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Transistors NPN General Purpose Transistors P/b Lead(Pb) - Free 文件：314.29 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SC1383	文件：174.49 Kbytes Page：3 Pages	TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat). ● Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684. 文件：174.49 Kbytes 页数：3 Pages	DAYA 大亚电器	DAYA
2SC1383	文件：770.93 Kbytes Page：4 Pages	Low Collector Saturation Voltage DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage • Complement to Type 2SA683 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplification and driver amplification. 文件：770.93 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1383	文件：4.84276 Mbytes Page：4 Pages	TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat). ● Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684. 文件：4.84276 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC1383	文件：146.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURE Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 2SC1383: 30 V 2SC1384: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：146.01 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1383	文件：307.88 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 文件：307.88 Kbytes 页数：3 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN
2SC1383	文件：914.4 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. Features Low VCE(sat),complementary pair with 2SA683. Applications Audio frequency power amplifier and driver. 文件：914.4 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1383	文件：62.89 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 2SC1383: 30 V 2SC1384: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：62.89 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SC1383	文件：200.66 Kbytes Page：3 Pages	TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 文件：200.66 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS

晶体管资料

型号：
2SC1383
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC338,BC378,BC635,BC738,DS11,2SC2236,2SD863,2SD1207,2SD1331,3DA859,3DA1383,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-37
vtest：
30
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
1

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
1
IC(A)：
1
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
25
VEBO(V)：
5
hFEMin：
85
hFEMax：
340
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.4
VCE(sat)@IC(A)：
0.5
VCE(sat)@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92MOD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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