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2SC1213_11

General Purpose Transistor

文件:283.42 Kbytes 页数:2 Pages

SECOS

喜可士

2SC1213_15

General Purpose Transistor

文件:283.42 Kbytes 页数:2 Pages

SECOS

喜可士

2SC1213A

TRANSISTOR (NPN)

文件:132.98 Kbytes 页数:1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SC1213A

Silicon NPN Epitaxial

文件:154.36 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC1213A

Low Level and General Purpose Amplifiers

文件:84.74 Kbytes 页数:1 Pages

MICRO-ELECTRONICS

2SC1213A(K)_15

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.42 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC1213ABTZ-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:154.36 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC1213ACTZ-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:154.36 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC1213ADTZ-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:154.36 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC1213CTZ-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:154.36 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

晶体管资料

  • 型号:

    2SC1213

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    35V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    120MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC337,BC338,BC377,BC635,BC637,BC639,BC737,2N2220,2N2221,2N2222,3DK4A,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-39

  • vtest:

    35

  • htest:

    120000000

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.4

技术参数

  • NPN/PNP:

    NPN

  • VCEO (V):

    35

  • IC (A) @25 °C:

    0.5

  • VCE (sat)(V) 最大值:

    0.6

  • hFE最小值:

    60

  • hFE最大值:

    320

  • Pc (W):

    0.4

  • 封装类型:

    TO-92

  • 订购条件:

    Large order only

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HITACHI
24+
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12500
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更多2SC12供应商 更新时间2026-3-10 8:01:00