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2SC1173	文件：136.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA473 ·Collector current :IC=3A ·Collector dissipation:PC=10W@TC=25℃ APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier ·Power regulator 文件：136.41 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1173	文件：134.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA473 ·Collector current :IC=3A ·Collector dissipation:PC=10W@TC=25℃ APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier ·Power regulator 文件：134.2 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC1173	文件：60.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SA473 • Collector current :IC=3A • Collector dissipation:PC=10W@TC=25°C APPLICATIONS • Low frequency power amplifier • Power regulator 文件：60.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1175	文件：41.27 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Amplifiers and Switches Medium Power Amplifiers and Switches TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：41.27 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC1170	文件：162.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：162.67 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1170_15	文件：151.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：151.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC1170_2014	文件：151.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：151.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC1170A	文件：162.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：162.67 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1172	文件：161.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：161.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1172_15	文件：149.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：149.51 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SC1173
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241,BD243,BD575,BD585,2SC2562,2SC3252,2SC3253,3DA22B,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
30
htest：
100000000
atest：
3
wtest：
10

技术参数

Maximum Transition Frequency：
100(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
10000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.8@0.2A@2AV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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