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2SC1162	文件：29.63 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Low frequency power amplifier complementary pair with 2SA715 文件：29.63 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC1162	文件：154.1 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA715 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：154.1 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1162	文件：178.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA715 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：178.44 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC1162	文件：100.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA715 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：100.35 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1162	文件：398.63 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES Low frequency power amplifier 文件：398.63 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1162	文件：1.03564 Mbytes Page：3 Pages	丝印：C1162；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Frequency Power Amplifier 文件：1.03564 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC1162	文件：127 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：127 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC1162	文件：398.63 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：398.63 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1162	文件：921.28 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. 文件：921.28 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1162	文件：102.07 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：102.07 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SC1162
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD375,D1162,DS11,2SC1173,2SC1226,2SC2877,2SD361,2SD612,2SD1380,2SD1506,2SD1818,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
35
htest：
180000000
atest：
2.5
wtest：
10

技术参数

PCM(W)：
1
IC(A)：
2.5
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
35
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC1162供应商更新时间2026-1-17 9:04:00

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