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ST2SC1008

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor formediumspeedswitchingandlowfrequency amplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,R, O,Y,andGaccordingtoitsDCcurrentgain.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技(东莞)有限公司

技术参数

  • Product Polarity:

     NPN

  • SMD/ThroHole:

     Through Hole

  • VCEO (V):

     60

  • VCBO (V):

     80

  • VEBO (V):

     8.0

  • IC (A):

     0.7

  • PC (W):

     0.8

  • HFE:

     200-400

  • @IC (mA):

     50

  • @VCE (V):

     2.0

  • ICBO:

     0.1 µA

  • IEBO:

     0.1 µA

  • VCE(sat) (V):

     0.4

  • VBE(sat) (V):

     1.1

  • FT (MHz):

     30

  • Package Qty:

     Bulk

  • FIT:

     48; Tj=100℃

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更多2SC1008-G供应商 更新时间2025-7-28 15:01:00