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2SB944	文件：55.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1269 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • Full-pack package which can be installed to the heat si 文件：55.52 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB944	文件：85.18 Kbytes Page：4 Pages	For Power Switching Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1269 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • Full-pack package which can be installed to the heat si 文件：85.18 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB944	文件：252.78 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -0.5V(Max)@ \|c=-3A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V (Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SD1269 APPLICATIONS • Designed for power amplification. 文件：252.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB944	文件：165.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Large collector current IC • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SD1269 APPLICATIONS • For power switching applications 文件：165.22 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB944	文件：111.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Large collector current IC • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SD1269 APPLICATIONS • For power switching applications 文件：111.81 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB945	文件：69.99 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT Complement to 2SD1270 文件：69.99 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SB945	文件：55.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Large collector current IC ● Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 文件：55.33 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB946	文件：149.54 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SD1271 ·Low saturation voltage ·Good linearity of hFE ·High current APPLICATIONS ·For power switching applications 文件：149.54 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB946	文件：289.56 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max)@IC= -5A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Complement to Type 2SD1271 APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：289.56 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB946	文件：85.43 Kbytes Page：4 Pages	For Power Switching Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1271 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • Full-pack package which can be instal 文件：85.43 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

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晶体管资料

型号：
2SB946
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1442,2SA1651,2SB1290,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
130
htest：
30000000
atest：
7
wtest：
40

技术参数

PCM(W)：
2
IC(A)：
7
VCBO(V)：
130
VCEO(V)：
80
VEBO(V)：
7
hFEMin：
60
hFEMax：
260
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
3
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.25
Package：
TO-220F

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