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2SB907-251	文件：297.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Fast switching speed ·Large current capacity ·Complementary to 2SD1222 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：297.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB907-252	文件：279 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Fast switching speed ·Large current capacity ·Complementary to 2SD1222 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908	文件：173.52 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE (1) = 2000 (min) (VCE = −2 V, IC = −1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = −3 A) • Complementary to 2SD1223 文件：173.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB908	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB908	文件：298.43 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：298.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908	文件：279.47 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908-251	文件：298.43 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：298.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB908-252	文件：279.47 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Complementary to 2SD1223 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB900	文件：88.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：88.64 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB901	文件：254.19 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：254.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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详细参数

型号：
2SB90
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Si PNP EPITAXIAL PLANAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB90供应商更新时间2026-3-11 16:00:00

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