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2SB861

Silicon PNP Triple Diffused

文件:144.81 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

2SB861

Silicon PNP Power Transistor

文件:76.51 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB861

Silicon PNP Power Transistors

文件:132.23 Kbytes 页数:4 Pages

SAVANTIC

2SB861_15

Silicon PNP Power Transistors

文件:192.18 Kbytes 页数:4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB861_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件:192.18 Kbytes 页数:4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB861-B

PNP Silicon Power Transistors

文件:507.03 Kbytes 页数:2 Pages

MCC

2SB861-C

PNP Silicon Power Transistors

文件:507.03 Kbytes 页数:2 Pages

MCC

2SB863

Silicon PNP Power Transistor

文件:78.87 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB863

Silicon PNP Power Transistors

文件:182 Kbytes 页数:4 Pages

SAVANTIC

2SB863_15

Silicon PNP Power Transistors

文件:226.84 Kbytes 页数:4 Pages

JMNIC

锦美电子

晶体管资料

  • 型号:

    2SB860

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD244C,BD540C,BD602,BD954,TIP42C,2SB682,3CD50D,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

技术参数

  • NPN/PNP:

    PNP

  • hFE min.:

    50

  • hFE max.:

    250

  • Pc (W):

    40

  • Production Status:

    EOL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SANYO
24+
60000
询价
HIT
16+
TO-220
100000
全新原装现货
询价
UTG
24+
89-223-252
5000
只做原装公司现货
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
HITACHI/日立
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
询价
HITACHI
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
HIT
24+
原厂封装
2000
原装现货假一罚十
询价
sanyo
24+
8858
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
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ROHM
4570
原装正品
询价
HITACHI
20+
TO-220
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
更多2SB86供应商 更新时间2026-3-10 16:30:00