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2SB824	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors 50V/5A Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB824G-X-AB3-R	文件：236.47 Kbytes Page：5 Pages	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR FEATURES * Low collector-to-emitter saturation voltage: VCE(SAT)=-0.4V max/IC=-3A, IB=-0.3A 文件：236.47 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
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2SB824_12	文件：256.06 Kbytes Page：5 Pages	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR 文件：256.06 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB824_15	文件：211.78 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：211.78 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB824_2014	文件：211.78 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：211.78 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
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2SB824L-X-T60-K	文件：256.06 Kbytes Page：5 Pages	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR 文件：256.06 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC

晶体管资料

型号：
2SB824
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244A,BD598,TIP42A,2SA1012,2SA1289,2SB920L,3CD50C,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
30000000
atest：
5
wtest：
30

技术参数

BVCEO(V)：
-50
BVCBO(V)：
-60
IC(A)：
-5
HFE_MIN.：
70
HFE_MAX.：
360
HFEtest_IC(mA)：
-1000
HFEtest_VCE(V)：
-2
VCE(Sat)(V)MAX.：
-0.4
VCE(Sat)test_IC(mA)：
-3000
VCE(Sat)test_Ib(mA)：
-300
Package：
SOT-89_TO-126_TO-251_TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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