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2SB815-6-TB-E

Bipolar Transistor

Features • Ultrasmall package allows miniaturization in end products • Large current capacity (IC=0.7A) and low-saturation voltage

文件:256.68 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SB815-6-TB-E

Bipolar Transistor

Features • Ultrasmall package allows miniaturization in end products • Large current capacity (IC=0.7A) and low-saturation voltage

文件:68.91 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SB815-6-TB-E

Bipolar Transistor

文件:68.91 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SB815-6-TB-E

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 15V 0.7A 3CP

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2SB815-6-TB-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    80mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 50mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    3-CP

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.7A 3CP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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