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2SB806-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	-120V,-0.7A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SB806-Q-HF	文件：1.03374 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.03374 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB806-R-HF	文件：1.03374 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.03374 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB806	文件：685.67 Kbytes Page：1 Pages	High collector to emitter voltage Features High collector to emitter voltage: VCEO > -120V. 文件：685.67 Kbytes 页数：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB806	文件：362.84 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents 文件：362.84 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB806	文件：52.37 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > -120V. 文件：52.37 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
PNP
V(BR)CEO(V)min.：
-120
IC(A)：
-0.7
hFEmin.：
135
hFEmax.：
270
VCE (sat)(V)：
-0.6
IB(mA)：
-50
fT(MHz)min.：
75(typ)
PD(W)max.：
0.5
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB806-Q供应商更新时间2025-12-25 17:23:00

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