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2SB800	文件：211.23 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD? DESCRIPTION The 2SB800 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. 文件：211.23 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB800	文件：51.52 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High Collector to Emitter Voltage:VCEO>-80V ● Complement to 2SD1001 文件：51.52 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB804	文件：51.78 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● World standard miniature package:SOT-89 ● High collector to base voltage:VCBO > -100V ● Excellent DC current gain linearity. 文件：51.78 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB804	文件：222.24 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD? 文件：222.24 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB804	文件：657.81 Kbytes Page：1 Pages	丝印：AW；Package：SOT-89；hight collector to base voltage, World standard miniature package ● Features World standard miniature package:SOT-89 High collector to base voltage:VCBO > -100V Excellent DC current gain linearity. 文件：657.81 Kbytes 页数：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB805	文件：676.34 Kbytes Page：1 Pages	丝印：KM；Package：SOT-89；High collerctor to emitter voltage Features High collector to emitter voltage: VCEO>-100V 文件：676.34 Kbytes 页数：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB805	文件：51.96 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features High collector to emitter voltage: VCEO > -100V. 文件：51.96 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB805	文件：234.01 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SB805 and 2SB806 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid integrated Circuits. 文件：234.01 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB806	文件：234.01 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SB805 and 2SB806 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid integrated Circuits. 文件：234.01 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB806	文件：52.37 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > -120V. 文件：52.37 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SB805
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
75MHZ
引脚数：
可代换的型号：
BCX53,2SA1201,2SB803,2SB804,2SB1025,3CA1D,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
100
htest：
75000000
atest：
0.7
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-100
IC @25 °C (A)：
-0.7
VCE (sat) (V)：
-0.6
hFE：
90-400
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.075
Cob (Typical) (pF)：
14

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