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2SB776	文件：116.26 Kbytes Page：4 Pages	100V/7A, AF 40W Output Applications???? The descriptions in parentheses are for the 2SB776 only ; other descriptions than those in parentheses are common to the 2SB776 and 2SD896. Features • Capable of being mounted easily because of onepoint fixing type plastic molded package (Interchangeable with TO-3). • Wide ASO because of on-chi 文件：116.26 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB776	文件：128.72 Kbytes Page：4 Pages	100V/7A, AF 40W Output Applications Features · Capable of being mounted easily because of onepoint fixing type plastic molded package (Interchangeable with TO-3). · Wide ASO because of on-chip ballast resistance. · Goode dependence of fT on current and excellent high frequency responce. The descriptions in parentheses are for 文件：128.72 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB776	文件：61.69 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB776 is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High Current Output Up to 3A * Low Saturation Voltage * Complement to 2SD886 文件：61.69 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB776	文件：199.75 Kbytes Page：5 Pages	2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors, 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors 2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：199.75 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB776	文件：183.13 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SD896 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • 100V/7A, AF 40W output applications 文件：183.13 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB776	文件：625.05 Kbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Current Output Up to 3A ● Low Saturation Voltage Power Dissipation 文件：625.05 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB776	文件：215.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SD896 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • 100V/7A, AF 40W output applications 文件：215.42 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB776	文件：82.55 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=-100V(Min) • Good Linearity of hFE • High Current Capability • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD896 APPLICATIONS • Designed for 40W audio frequency output applications. 文件：82.55 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB776	文件：196.5 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SD896 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • 100V/7A, AF 40W output applications 文件：196.5 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB776	文件：1.0519 Mbytes Page：3 Pages	丝印：B776；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current Output Up to 3A Low Saturation Voltage Power Dissipation 文件：1.0519 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
2SB776
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD246C,2SA1146,2SA1186,2SA688,2SB695,2SB816,3CD100E,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
120
htest：
15000000
atest：
7
wtest：
70

技术参数

PCM(W)：
1
IC(A)：
3
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB776供应商更新时间2025-12-24 11:39:00

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