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2SB740C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Small Signal Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SB740CTZ-E	文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：165.97 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB740	文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：165.97 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB740	文件：73.75 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURE Power dissipation PCM: 0.9 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -70 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：73.75 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SB740	文件：30.3 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SD789 文件：30.3 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

技术参数

NPN/PNP：
PNP
VCEO (V)：
-50
IC (A) @25 °C：
-1
hFE min.：
100
hFE max.：
320
Pc (W)：
0.9
fT (GHz) typ.：
0.15
Package Type：
TO-92Mod
Production Status：
EOL

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更多2SB740C供应商更新时间2026-3-12 16:30:00

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