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2SB736BW5	文件：183.07 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) DESCRIPTION The 2SB736, 2SB736A are designed for use in small type especially recommended for hybrid integrated circuit and other applications. 文件：183.07 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB736BW5-T1B	文件：183.07 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) DESCRIPTION The 2SB736, 2SB736A are designed for use in small type especially recommended for hybrid integrated circuit and other applications. 文件：183.07 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB736-T1B	文件：183.07 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) DESCRIPTION The 2SB736, 2SB736A are designed for use in small type especially recommended for hybrid integrated circuit and other applications. 文件：183.07 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB736_15	文件：1.15965 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.15965 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SB736
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW68,BCX17,2A1366,2B1198,3CG130B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
0.3
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-60
IC @25 °C (A)：
-0.3
VCE (sat) (V)：
-0.6
hFE：
110-400
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.1
Cob (Typical) (pF)：
13

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