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2SB512	文件：132.33 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR INDUSTRIAL USE. GENERAL PURPOSE APPLICATION 文件：132.33 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB512	文件：89.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：89.51 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB512	文件：132.33 Kbytes Page：1 Pages	GENERAL PURPOSE APPLICATION 文件：132.33 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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2SB512	文件：153.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：153.58 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB512	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
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晶体管资料

型号：
2SB512
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD242A,BD244A,BD536,BD588,BD578,BD936,2SB1064,3CD5C,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-89
vtest：
60
htest：
3000100
atest：
3
wtest：
25

技术参数

Maximum Transition Frequency：
8(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1750mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.2A@2AV
Maximum Collector Base Voltage：
50V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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