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2SB172	文件：39.89 Kbytes Page：1 Pages	GE PNP ALLOY JUNCTION 文件：39.89 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SB172	文件：300 bytes Page：1 Pages	GE PNP ALLOY JUNCTION	未知品牌
2SB1721	文件：294.54 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1721	文件：275.49 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：275.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1721-251	文件：294.54 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1721-252	文件：275.49 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：275.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1721	文件：155.47 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors 文件：155.47 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1721-Z	文件：155.47 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors 文件：155.47 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1721-Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Power Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.\n\nA wide variety of products are rolled out, for example, for uses at high temperature (up to 175°C applicable), high power, and low Vce (sat), and others.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SB1722G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type	Panasonic 松下	Panasonic

晶体管资料

型号：
2SB172
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.125A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N11194,2SB54,2SB56,3AX52A,
最大耗散功率：
0.125W
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.125
wtest：
0.125

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-60
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
-3
VCE(sat) (V) max.：
-1
hFE min.：
100
hFE max.：
400
fT (MHz) typ.：
5
Cob (pF) typ.：
80
Package Type：
MP-3
Production Status：
Mass Production

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更多2SB172供应商更新时间2026-10-14 14:02:00

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