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2SB1502	文件：70.34 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington SiliconPNPepitaxialplanartypeDarlington Forpoweramplification Complementaryto2SD2275 ■Features ●Optimumfor55WHiFioutput ●HighfowardcurrenttransferratiohFE:5000to30000 ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat):	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SB1502	文件：79.17 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@lc=-4A •Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(satr-2.5V(Max.)@lc=-4A •ComplementtoType2SD2275 APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierapplications •Optimumfor55WHiFioutputapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB1502	文件：268.65 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@IC=-4A •Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max.)@IC=-4A •ComplementtoType2SD2275 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2SB1502

文件：70.34 Kbytes

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Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

SiliconPNPepitaxialplanartypeDarlington Forpoweramplification Complementaryto2SD2275 ■Features ●Optimumfor55WHiFioutput ●HighfowardcurrenttransferratiohFE:5000to30000 ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat):

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic

2SB1502

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Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@lc=-4A •Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(satr-2.5V(Max.)@lc=-4A •ComplementtoType2SD2275 APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierapplications •Optimumfor55WHiFioutputapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@IC=-4A •Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max.)@IC=-4A •ComplementtoType2SD2275 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

晶体管资料

型号：
2SB1502
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1492,2SB1555,2SB1556,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>5000
图片代号：
B-44
vtest：
120
htest：
20000000
atest：
5
wtest：
60

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	2SB1502	HITACHI	08PB		90000		询价
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更多2SB1502供应商更新时间2024-5-1 10:50:00

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