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2SB1297	文件：37.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) ■ Features ● Extremely satisfactory linearity of the forward current transfer ratio hFE. ● High transition frequency fT. ● Makes up a complementary pair with 2SD1937, which is optimum for the pre-driver stage of a 40 to 60W output amplifier. 文件：37.85 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1299	文件：53.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) ■ Features ● High foward current transfer ratio hFE ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 文件：53.59 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1290	文件：265.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：265.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1290	文件：131.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：131.06 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1290	文件：850.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. 文件：850.6 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1291	文件：96.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：96.04 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1291	文件：94.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：94.42 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1291	文件：254.56 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：254.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1292	文件：141.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：141.47 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1292	文件：115.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：115.73 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SB1299
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1469,2SB1015,2SB1094,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>300
图片代号：
B-38
vtest：
80
htest：
30000000
atest：
3
wtest：
40

详细参数

型号：
2SB129
功能描述：
TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB129供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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