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2SB1198KFRA	文件：1.43292 Mbytes Page：8 Pages	丝印：AK；Package：SOT-346；Power Transistor (-80V, -500mA) Features 1)Low VCE(sat) 　 VCE(sat)=-200mV(Typ.) 　 (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)High breakdown voltage. 　 BVCEO=-80V 3)Complements the 2SD1782K FRA. Application DRIVER 文件：1.43292 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1198KFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Driver Transistor (支持 AEC-Q101) 车载双极晶体管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •启动用表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1198SQ	文件：1.37072 Mbytes Page：4 Pages	PNP Transistor 文件：1.37072 Mbytes 页数：4 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
2SB1198	文件：119.4 Kbytes Page：3 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1198 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage : BVCEO= -80V * Low VCE(sat) : VCE(sat)= -0.2V (Typ) (Ic/IB = -0.5A/-50mA) 文件：119.4 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1198	文件：93.45 Kbytes Page：3 Pages	Low-frequency Transistor(-80V, -0.5A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = 80V 3) Complements the 2SD1782K. 文件：93.45 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1198	文件：249.93 Kbytes Page：4 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR 文件：249.93 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Status：
可购买
封装：
SMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
SOT-346
JEITA Package：
SC-59
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.1)
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-80.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.5
hFE：
120 to 390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多2SB1198KFRA供应商更新时间2026-1-29 13:02:00

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