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2SB1197/K-Q	文件：941.28 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1197A	文件：239.95 Kbytes Page：5 Pages	PNPLowVce(sat)Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2SB1197K	文件：53.25 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1197K	文件：123.68 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1197K	文件：663.9 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1197K	文件：626.33 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialPlanarTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1197K	文件：136.93 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB1197K	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1197K	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1197K	文件：665.7 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1781K. Applications Lowfrequencyamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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深圳市威尔健半导体有限公司	2SB1197T146R	ROHM/罗姆	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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