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2SB1182GP

PNP Transistor

Chenmko

力勤

2SB1182P

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

文件:538.33 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

2SB1182-P

PNP Silicon Epitaxial Transistors

Features ● Low Collector Saturation Voltage ● Execllent current-to-gain characteristics ● Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ● Moisture Sensitivity Level 1

文件:441.89 Kbytes 页数:4 Pages

MCC

2SB1182-P

PNP Silicon Epitaxial Transistors

文件:509.7 Kbytes 页数:4 Pages

MCC

技术参数

  • Collector CurrentIC(mA):

    -2000

  • Minimum DC Current GainHFE(Min):

    82

  • Maximum DC Current GainHFE(Max):

    390

  • Maximum Saturation Voltage Collector to EmmitterVCE(SAT)(V):

    -0.5

  • @ IC / IB(mA / mA):

    -2000/-200

  • Typical Gain BandwidthfT(MHz):

    100

  • @ VCE / IC(V / mA):

    -5/-100

  • Package:

    DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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更多2SB1182GP供应商 更新时间2025-12-25 11:00:00