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2SB1132	文件：1.60068 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1132	文件：124.03 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SB1132	文件：798.72 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1132	文件：462.54 Kbytes Page：2 Pages	-1A,-40VPNPSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1132	文件：506.45 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier FEATURES LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA). ComplementaryNPNtypeavailable 2SD1664. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifier andswitching.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB1132P	文件：463.31 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
2SB1132-P	文件：798.72 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1132-P	文件：542.22 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1132-P	文件：193.17 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25) •Collectorcurrent:ICM=-1A •Collector-basevoltage:V(BR)CBO=-40V •Operatingandst	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1132PT	文件：307.33 Kbytes Page：3 Pages	PNPMediumPowerTransistor SURFACEMOUNTPNPMediumPowerTransistor VOLTAGE32VoltsCURRENT1Ampere FEATURE Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) APPLICATION Telephonyandprof	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

产品属性

产品编号：
2SB1132-P-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
TRANS PNP 32V 1A SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昌和盛利电子有限公司	2SB1132Q	ROHM	23+	SOT89	11092		询价
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深圳市仟禧电子有限公司	2SB1132Q	SIPUSEMI	22+	SOT-89	20000	深圳原装现货正品有单价格可谈	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SB1132Q	ROHM/罗姆	23+	SOT89	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	2SB1132Q	台产		SOT-89	16000	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

更多2SB1132-P-TP供应商更新时间2025-5-22 16:52:00

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