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2SB1132-Q	文件：193.17 Kbytes Page：2 Pages	丝印：BAQ；Package：SOT-89；PNP Plastic-Encapsulate Transistors PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Power dissipation: PCM= 0.5W(Tamb=25) • Collector current: ICM = -1A • Collector-base voltage: V(BR)CBO= -40V • Operating and st 文件：193.17 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SB1132-Q	文件：542.22 Kbytes Page：4 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：542.22 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1132-Q	文件：798.72 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAQ*；Package：SOT-89；PNP Transistors 文件：798.72 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB1132-Q-AB3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132-Q-AB3-T	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132-Q-TN3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132-Q-TN3-T	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	车规三极管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB1132-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2SB1132-Q-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 1A SOT89	MCC	MCC

技术参数

Product Polarity：
PNP
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
-32
VCBO (V)：
-40
VEBO (V)：
-5.0
IC (A)：
-1.0
PC (W)：
0.5
HFE：
120-270
@IC (mA)：
-100
@VCE (V)：
-3.0
ICBO：
-0.5 µA
IEBO：
-0.5 µA
VCE(sat) (V)：
-0.5
VBE(sat) (V)：
FT (MHz)：
150
Package Qty：
Tape
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市南科功率半导体有限公司	2SB1132-Q	NK/南科功率	2025+	SOT-89	986966	国产	询价
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更多2SB1132-Q供应商更新时间2025-10-5 8:01:00

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