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2SB1119	文件：215.76 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistors FEATURES ●VerysmallsizemakingiteasytoprovideHigh-density,small-sizehybridIC’s.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1119	文件：189.84 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●SmallFlatPackage ●LFAmplifier,ElectronicGovernorApplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1119	文件：140.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:500mW˄Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage VB(BR)CBO:-25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55ćto+150ć	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1119	文件：51.36 Kbytes Page：1 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ●Verysmallsizemakingiteasytoprovidehighdensity,small-sizedhybridIC’s.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1119	文件：64.25 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collectorcurrent(Pulse) ICP:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SB1119	文件：85.62 Kbytes Page：3 Pages	LFAmp,ElectronicGovernorApplications LFAmplifier,ElectronicGovernorApplications Features ·Verysmallsizemakingiteasytoprovidehighdensity,small-sizedhybridIC’s.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1119	文件：184.56 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Verysmallsizemakingiteasytoprovide •High-density,small-sizehybridIC,S	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SB1119	文件：845.48 Kbytes Page：3 Pages	Powerdissipation,Collectorbasevoltage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1119	文件：214.92 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistors	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1119	文件：113.54 Kbytes Page：2 Pages	Verysmallsizemakingiteasytoprovide FEATURES •Verysmallsizemakingiteasytoprovide •High-density,small-sizehybridICS	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI

详细参数

型号：
2SB1119T
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市弘为电子有限公司	2SB1119T-TD	三洋	24+	SOT-89	3000	原装现货假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SB1119T-TD	SANYO	24+	SOT-89	172200	新进库存/原装	询价
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深圳市纳立科技有限公司	2SB1119T-TD-E		三年内		1983	只做原装正品	询价
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更多2SB1119T供应商更新时间2025-7-25 15:01:00

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