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2SB1018_2014	文件：214.11 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：214.11 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1018A	文件：267.21 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：267.21 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1018A	文件：170.78 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process) 文件：170.78 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1018A	文件：143.03 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications Power Amplifier Applications 文件：143.03 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1018A_06	文件：170.78 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process) 文件：170.78 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1018A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2SB1018
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDX78F,2SA1077,2SA1442,2SA1651,2SB921L,2SB946,2SB1290,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
10000000
atest：
7
wtest：
30

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@0.4A@4AV
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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