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2SAR587D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP -3.0A -120V 功率晶体管低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。 • Suitable for Power Driver.\n• Complementary NPN Types : 2SCR587D3\n• Low VCE(sat): VCE(sat)=-200mV(Max.). (IC/IB=-1A/-100mA);	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR587D3	文件：1.68913 Mbytes Page：11 Pages	丝印：2SAR587D3；Package：TO-252；PNP -3.0A -120V Power Transistor 文件：1.68913 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR587D3FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive 2SAR587D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive. • Suitable for Power Driver.\n• Low VCE(sat)\nVCE(sat)=-200mV(Max.) (IC/IB=-1A/-100mA);	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR587D3TL1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 120V 3A TO252	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
10
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-120
Collector current Io(Ic) [A]：
-3
hFE：
120 to 390
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多2SAR587D3供应商更新时间2025-10-5 10:00:00

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