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2SA990	文件：215.64 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA990 is designed for use in driver stage of AF amplifier. FEATURES ● High hFE hFE : 400 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) 文件：215.64 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA991	文件：40.53 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Audio Frequency Low Noise Amplifier 文件：40.53 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA992	文件：204.91 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA992 is the best for use as the middle range amplifier in Hi-Fi stereo control amplifiers, power amplifiers, and etc. 文件：204.91 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA993	文件：35.23 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY AMPLIFIER Complementary pair with 2SC2277 文件：35.23 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA995	文件：43.8 Kbytes Page：1 Pages	2SA995 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) 文件：43.8 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA999	文件：35.32 Kbytes Page：1 Pages	2SA999 2SA999 文件：35.32 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA999	文件：492.92 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 文件：492.92 Kbytes 页数：2 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
2SA992	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SA993	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL	未知品牌
2SA995	文件：300 bytes Page：1 Pages	2SA995	未知品牌

晶体管资料

型号：
2SA992
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA872A,2SA893A,2SA971,2SA970,2SA1136,3CG170C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
120
htest：
100000000
atest：
0.05
wtest：
0.5

技术参数

VCEO (V)：
120
hFE min.：
200
hFE max.：
800
Pc (W)：
0.5
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA99供应商更新时间2025-12-24 16:30:00

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