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2SA900	文件：90.82 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency Power amplification Complementary to 2SC1868 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the heat sink 文件：90.82 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA900	文件：71.7 Kbytes Page：3 Pages	For low-frequency Power amplification Complementary Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency Power amplification Complementary to 2SC1868 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the heat sink 文件：71.7 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA900	文件：81.37 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -18V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Collector Saturation Voltage • Complement to Type 2SC1568 • Designed for audio frequency power amplifier applications. 文件：81.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA900	文件：160.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SC1568 • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio frequency power amplifier 文件：160.48 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA900	文件：128.81 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -18V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Collector Saturation Voltage • Complement to Type 2SC1568 • Designed for audio frequency power amplifier applications. 文件：128.81 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA900	文件：105.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SC1568 • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio frequency power amplifier 文件：105.45 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA9012	文件：74.07 Kbytes Page：2 Pages	1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH PULL OPERATION [Usha] 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. • High total power dissipation. (PT = 325mW) • High Collector Current. (IC = -500mA) • Encellent hFE linearity 文件：74.07 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA9015	文件：86.31 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER [Usha] Transistors LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER 文件：86.31 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA904	文件：39.9 Kbytes Page：1 Pages	2SA904 2SA904A 2SA904 2SA904A 文件：39.9 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA904A	文件：39.9 Kbytes Page：1 Pages	2SA904 2SA904A 2SA904 2SA904A 文件：39.9 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2SA900
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD136,BD227,BD376,CK77A,2SB1009,
最大耗散功率：
4W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
20
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
4

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1200mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
18V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@50mA@1AV
Maximum Collector Base Voltage：
20V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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