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2SA811A	文件：178.59 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD? AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURE ● High DC Current Gain: hFE 500 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) 文件：178.59 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA811A	文件：37.48 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current gain. 文件：37.48 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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2SA811A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SA811A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
90MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1312,2SA1566,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
120
htest：
90000000
atest：
0.03
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-120
IC @25 °C (A)：
-0.05
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-900
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.09
Cob (Typical) (pF)：
2

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