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2SA673A	文件：31.04 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SC1213 and 2SC1213A 文件：31.04 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SA673A	文件：372.28 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Frequency Amplifier ● Complementary Pair with 2SC1213A 文件：372.28 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA673A	文件：215.3 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES * Low Frequency Amplifier * Complementary Pair with 2SC1213 and 2SC1213A * RoHS Compliant Product * A suffix of -C specifies halogen-free 文件：215.3 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA673A	文件：499.18 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistdrs FEATURES ® Low Frequency Amplifier ® Complementary Pair with 2SC1213A 文件：499.18 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA673A	文件：1.12071 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Complementary pair with 2SC1213(A). Applications Low frequency power amplifier. 文件：1.12071 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA673A	文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers 文件：84.74 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SA673A	文件：60.34 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：60.34 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA673A	文件：104.84 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：104.84 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA673A	文件：89.42 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：89.42 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA673AK	文件：36.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SC1213 and 2SC1213A 文件：36.43 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SA673A(AK)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC297,BC327,BC636,BC727,CG673,2N2906,2N2907,2SA1683,2SB910,3CG130C,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
50
htest：
50000000
atest：
0.5
wtest：
0.4

技术参数

NPN/PNP：
PNP
VCEO (V)：
-50
IC (A) @25 °C：
-0.5
VCE (sat)(V) 最大值：
-0.6
hFE最小值：
60
hFE最大值：
320
Pc (W)：
0.4
fT (GHz) 典型值：
0.12
fT (MHz) 典型值：
120
封装类型：
TO-92(1)
订购条件：
Large order only

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