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2SA671	文件：116.98 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(3.0A,50V,25W) 3.0 AMPERE SILICON POWER TRANSISTORS 50 VOLTS 25 WATTS 文件：116.98 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SA671	文件：113.54 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(SUS)= -1.0V(Max)@ IC= -2.0A • DC Current Gain : hFE= 35-320@ IC= -0.5A • Complement to Type 2SC1061 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications. 文件：113.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA671	文件：165.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC1061 • Low collector saturation voltage Note:type 2SA670 with short pin APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：165.15 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA671	文件：129.55 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(SUS)= -1.0V(Max)@ IC= -2.0A • DC Current Gain : hFE= 35-320@ IC= -0.5A • Complement to Type 2SC1061 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications. 文件：129.55 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA671	文件：69.37 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ● Complement to 2SC1061 文件：69.37 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SA671	文件：165.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：165.15 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA671	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin TO-92 Tape and Box	NJS	NJS
2SA671_15	文件：165.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：165.15 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SA671(K)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
32MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD242,BD242A,BD244A,BD536,BD578,BD588,BD936,2SA1288,3CD5C,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-89
vtest：
50
htest：
32000000
atest：
3
wtest：
25

技术参数

Maximum Power Dissipation：
400mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@15mA@150mAV
Maximum Collector Base Voltage：
50V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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