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2SA657	文件：153.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC520 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications 文件：153.08 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA657	文件：151.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC520 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications 文件：151.65 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA657	文件：126.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min.) • Complement to Type 2SC520 APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Power switching applications. • DC-DC converter applications. • Regulator applications. 文件：126.51 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA657	文件：108.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC520 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications 文件：108.57 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA657	文件：110.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：110.15 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA657	文件：151.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：151.65 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA657	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1	NJS	NJS
2SA657_15	文件：151.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：151.65 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA657A	文件：137.9 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. 文件：137.9 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SA657(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD318,BD246C,2N6227,2N6230,2SB688,2SB681,3CF5A,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
5000000
atest：
7
wtest：
50

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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