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2SA649	文件：152.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For low frequency and large power switching applications 文件：152.58 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA649	文件：109.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For low frequency and large power switching applications 文件：109.45 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA649	文件：111.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：111.03 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA649	文件：124.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：124.85 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA649	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2SA649
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD246D,2N6227,2N6230,2SB681,2SB695,2SB696,2SB816,3CD8F,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
150
htest：
10000000
atest：
7
wtest：
60

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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