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2SA608N	文件：40.84 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications · Capable of being used in the low frequency to high frequency range. Features · Large current capacity and wide ASO. 文件：40.84 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA608N	文件：504.05 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Large Current Capacity and Wide ASO. APPLICATIONS ● Capable of Being Used in The Low Frequency to High Frequency Range. 文件：504.05 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA608N	文件：83.48 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Large current capacity and wide ASO. APPLICATIONS • Capable of being used in the low frequency to high frequency range. 文件：83.48 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA608N	文件：134.91 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.15 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：134.91 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA608N	文件：64.47 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.15 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.47 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA608NF-NPA-AT	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor (–)50V, (–)150mA, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single NPA-WA Features • Large current capacity and wide ASO Applications • Capable of being used in the low frequency to high frequency range 文件：267.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA608NG-NPA-AT	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor (–)50V, (–)150mA, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single NPA-WA Features • Large current capacity and wide ASO Applications • Capable of being used in the low frequency to high frequency range 文件：267.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA608N_15	文件：83.48 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：83.48 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA608N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor	Secos 喜可士	Secos
2SA608N	文件：300 bytes Page：1 Pages	普通三极管	FOSAN 富信半导体	FOSAN

晶体管资料

型号：
2SA608NP
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC212,BC257,BC307,BC557,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
180000000
atest：
0.1
wtest：
0.25

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
6
hFEMin：
160
hFEMax：
560
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
0.3
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

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