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2SA2121	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA2121	文件：114.57 Kbytes Page：2 Pages	High Current Capability 文件：114.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2121	文件：74.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：74.29 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA2121	文件：133.25 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：133.25 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA2121	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Audio amplifier output stage 140-W\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC5949\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -15 A \nCollector power dissipation PC 220 W \nCollector-Base Voltage VCBO -200 V \nCollector-emitter voltage VCEO -200 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA2121	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL	NJS 新泽西半导体	NJS
2SA2121	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER

技术参数

Polarity：
PNP
Features：
Power Amps Output Stage
VCEO(Max)(V)：
-200
IC(Max)(A)：
-15
hFE(Min)：
55
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
-3.0
fT(Typ.)(MHz)：
25
ComplementaryProduct：
2SC5949
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(L)
Width×Length×Height(mm)：
20.0 x 26.0 x 5.0

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更多2SA2121供应商更新时间2026-4-12 15:01:00

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