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2SA2016-TD-E	文件：472.41 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2SA2016；Package：PCP；DC / DC Converter Applications 文件：472.41 Kbytes 页数：8 Pages	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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2SA2016	文件：50.27 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • 文件：50.27 Kbytes 页数：5 Pages	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA2016	文件：110.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * High current capacitance. * Low collector-to-emitter saturation voltage. * High-speed switching * High allowable power dissipation. APPLICATIONS * Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. 文件：110.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA2016	文件：359.86 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：359.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2016-AB3-R	文件：110.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * High current capacitance. * Low collector-to-emitter saturation voltage. * High-speed switching * High allowable power dissipation. APPLICATIONS * Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. 文件：110.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA2016L-AB3-R	文件：110.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * High current capacitance. * Low collector-to-emitter saturation voltage. * High-speed switching * High allowable power dissipation. APPLICATIONS * Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. 文件：110.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA2016-TD-E	文件：359.86 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：359.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2016	文件：472.41 Kbytes Page：8 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：472.41 Kbytes 页数：8 Pages	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA2016	文件：63.52 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：63.52 Kbytes 页数：5 Pages	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
2SA2016
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP PNP 7A 50V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SA2016-TD-E	onsemi(安森美)	24+	SOT-89	1612	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市品优时代科技有限公司	2SA2016-TD-E	onsemi/安森美	22+	原装封装	86000	品质保证,信誉至上	询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	2SA2016-TD-E	SANYO/三洋	20+	SOT-89	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

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