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2SA1986	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1986	文件：183.57 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5358 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：183.57 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1986	文件：213.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5358 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：213.18 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1986	文件：150 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −230 V (min) • Complementary to 2SC5358 • Recommended for 80-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：150 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1986	文件：75.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Current Capability • High Power Dissipation • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -230V(Min) • Complement to Type 2SC5358 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for SOW high fidelity audio frequency amplifier output 文件：75.85 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1986	文件：173.93 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5358 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：173.93 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1986	文件：136.65 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：136.65 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1986	文件：213.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：213.18 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1986	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Audio amplifier output stage 100-W\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC5358\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -15 A \nCollector power dissipation PC 150 W \nCollector-emitter voltage VCEO -230 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA1986	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN	NJS 新泽西半导体	NJS

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-230
IC(Max)(A)：
-15
hFE(Min)：
55
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
-3.0
fT(Typ.)(MHz)：
30
ComplementaryProduct：
2SC5358
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(N)
Width×Length×Height(mm)：
15.5 x 20.0 x 4.5

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