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2SA1981S	文件：83.7 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor (Audio power amplifier application) Description •Audio power amplifier application Features •High hFE: hFE=100~320 •Complementary pair with 2SC5344S 文件：83.7 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
2SA1981S	文件：292.43 Kbytes Page：4 Pages	Audio power amplifier application Description •Audio power amplifier application Features •High hFE: hFE=100~320 •Complementary pair with 2SC5344S 文件：292.43 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
2SA1981S	文件：596.3 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features High hFE, complementary pair with 2SC5344S. Applications Audio power amplifier application. 文件：596.3 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1981SF	文件：82.75 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor (Audio power amplifier application) Description •Audio power amplifier application Features •High hFE: hFE=100~320 •Complementary pair with 2SC5344SF 文件：82.75 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
2SA1981SF	文件：36.09 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Transistor PNP Silicon Transistor Features ● High Hfe:.hFE=100 to 320 文件：36.09 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1981SF	文件：275.12 Kbytes Page：4 Pages	Audio power amplifier application Description •Audio power amplifier application Features •High hFE: hFE=100~320 •Complementary pair with 2SC5344S 文件：275.12 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
2SA1981-TA	文件：1.43099 Mbytes Page：4 Pages	丝印：A1981；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features High DC Current Gain Complementary Pair with 2SC5344 APPLICATIONS Audio Power Amplifier Application 文件：1.43099 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1981_15	文件：89.01 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：89.01 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1981S	文件：292.43 Kbytes Page：4 Pages	Audio power amplifier application 文件：292.43 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
2SA1981SF	文件：275.12 Kbytes Page：4 Pages	Audio power amplifier application 文件：275.12 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.8
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.02
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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