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2SA1979U	文件：220.67 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier) Description • Medium power amplifier Features • Large collector current : ICMax=-500mA • Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage • Complementary pair with 2SC5342U 文件：220.67 Kbytes 页数：4 Pages	AUK	AUK
2SA1979U	文件：277.11 Kbytes Page：4 Pages	Medium power amplifier Description • Medium power amplifier Features • Large collector current : ICMax=-500mA • Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage • Complementary pair with 2SC5342U 文件：277.11 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
2SA1979U	文件：277.11 Kbytes Page：4 Pages	Medium power amplifier 文件：277.11 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
2SA1979UF	文件：228.79 Kbytes Page：4 Pages	Medium power amplifier Description • Medium power amplifier Features • Large collector current : IC=-500mA • Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage • Complementary pair with 2SC5342UF 文件：228.79 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
2SA1979UF	文件：45.65 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Amplifier Features ● Large collector current. ● Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage. 文件：45.65 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1979UF	文件：220.95 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier) Description • Medium power amplifier Features • Large collector current : ICMax=-500mA • Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage • Complementary pair with 2SC5342UF 文件：220.95 Kbytes 页数：4 Pages	AUK	AUK
2SA1979UF_15	文件：726.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：726.13 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1979UF-O	文件：726.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：726.13 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1979UF-Y	文件：726.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：726.13 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1979U	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK

技术参数

Classifacation：
Single type
VCEO [V]：
-32
IC[mA]：
-500
PC[mW]：
200
hFE_Min：
70
hFE_Max：
240
hFE@ VCE [V]：
-1
hFE@ IC[mA]：
-100
VCE(sat) [V]_Max：
-0.25
VCE(sat) [V]@ IC[mA]：
-100
VCE(sat) [V]@ IB[mA]：
-10
fT[MHz]_Typ：
200
fT[MHz]@ VCE [V]：
-6
fT[MHz]@ IC[mA]：
-20

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