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2SA1977-T1B-A	文件：191.5 Kbytes Page：14 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SA1977-T1B-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23	CEL California Eastern Laboratories	CEL

产品属性

产品编号：
2SA1977-T1B-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 20mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SA1977-T1B-A	California Eastern Labs	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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