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2SA1875	文件：31.1 Kbytes Page：5 Pages	High-Definition CRT Display Video Output Applications High-Definition CRT Display Video Output Applications Features • High fT : fT=400MHz(typ). • High breakdown voltage : VCEO≥200V(min). • Large current capacitance. • Small reverse transfer capacitance and excellent high-frequency characteristic : Cre=3.4pF(NPN), 4.2pF(PNP). • Adoption of FBET 文件：31.1 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1875	文件：321.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -200V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：321.98 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1875	文件：302.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -200V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：302.94 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1875	文件：41.84 Kbytes Page：2 Pages	High-voltage Switching Transistor Features ● High fT : fT=400MHz(typ). ● High breakdown voltage : VCEO ≥ 200V(min). ● Large current capacitance. ● Adoption of FBET process. 文件：41.84 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1875	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Definition CRT Display Video Output Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1875-251	文件：321.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -200V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：321.98 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1875-252	文件：302.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -200V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：302.94 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1875_15	文件：1.27345 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.27345 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1875-D	文件：1.27345 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.27345 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1875-E	文件：1.27345 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.27345 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SA1875
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
视频输出（Vid）_输出极（E）_HI_DEF
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
400MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1749,
最大耗散功率：
12W
放大倍数：
图片代号：
H-65
vtest：
200
htest：
400000000
atest：
0.3
wtest：
12

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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