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2SA1661	文件：189.23 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Small Flat Package High Current Application High Voltage High Transition Frequency 文件：189.23 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1661	文件：978.79 Kbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ® Small Flat Package ® High Current Application ® High Voltage ® High Transition Frequency 文件：978.79 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1661	文件：232.39 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Planar Epitaxial Transistor 文件：232.39 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1661	文件：1.50554 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.50554 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1661	文件：244.12 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DO；Package：SOT-89；Silicon Planar Epitaxial Transistor 文件：244.12 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1661	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SA1661_17	文件：244.12 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Planar Epitaxial Transistor 文件：244.12 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1661SQ	文件：723.2 Kbytes Page：3 Pages	丝印：DX；Package：SOT-89；PNP Transistor 文件：723.2 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

晶体管资料

型号：
2SA1661
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1201,2SB806,2SB1025,2SB1026,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.8
VCBO(V)：
120
VCEO(V)：
120
VEBO(V)：
5
hFEMin：
80
hFEMax：
240
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-89

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