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2SA1627	文件：147.07 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR(general purpose amplifier and high speed switching) DESCRIPTION The 2SA1627 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applicaions. FEATURES • High Voltage • High Speed Switching • Low Collector Saturation Voltage. 文件：147.07 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1627	文件：99.46 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES * High voltage * Low collector saturation voltage. * High-speed switching 文件：99.46 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1627	文件：374.73 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 25A1627 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES - High Voltage. - High Speed Switching. - Low Collector Saturation Voltage. 文件：374.73 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1627	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-126晶体管	GSME 桂微	GSME
2SA1627	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-126C Bipolar Junction Transistors	LISION 力神	LISION
2SA1627	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
2SA1627A	文件：99.44 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ■ DESCRIPTION The UTC 2SA1627A is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. ■ FEATURES * High voltage * Low collector saturation voltage. * High-speed switching 文件：99.44 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1627_15	文件：103.4 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：103.4 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1627A	文件：173.9 Kbytes Page：4 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：173.9 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1627A_12	文件：173.9 Kbytes Page：4 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：173.9 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VCEO (V)：
600
hFE min.：
30
hFE max.：
120
Pc (W)：
1
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1627供应商更新时间2025-12-14 9:38:00

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