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2SA1592	文件：128.08 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features · Adoption FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching speed. · Small and slim package permitting 2SA1592/2SC4134-applied sets to be made more compact. Applications · Power supplies, relay drivers, 文件：128.08 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1592	文件：322.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4134 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：322.87 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1592	文件：303.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4134 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：303.83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1592-251	文件：322.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4134 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：322.87 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1592-252	文件：303.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4134 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：303.83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4135 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：323.12 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593	文件：304.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4135 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：304.08 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • High breakdown voltage and large current capacity. • Fast switching speed. • Small and slim package permitting 2SA1593/ 2SC4135-applied sets to be made more compact. Applications • Power supplies 文件：128.9 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1593	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1593-251	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4135 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：323.12 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
2SA1593S-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS PNP 100V 2A TP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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