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2SA1681	文件：175.99 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Highspeedswitchingtime:tstg=300ns(typ.) •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SC4409	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1681	文件：162.6 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1681	文件：378.18 Kbytes Page：3 Pages	PowerSwitchingApplications Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=300ns(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC4409	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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2SA1681

文件：175.99 Kbytes

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TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Highspeedswitchingtime:tstg=300ns(typ.) •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SC4409

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SA1681

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PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SA1681

文件：378.18 Kbytes

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PowerSwitchingApplications

Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=300ns(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC4409

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

详细参数

型号：
2SA1681(TE12L,F)
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 50V 2A Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1681(TE12L,F)供应商更新时间2024-5-24 14:30:00

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