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2SA1585	文件：1.52492 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low VCE(sat) ● Excellent DC current gain characteristics. Power dissipation 文件：1.52492 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1585	文件：1.51029 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat) Excellent DC current gain characteristics. Power dissipation 文件：1.51029 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1585	文件：981.27 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Low VCE(sat),Excellent current gain characteristics; complementary pair with 2SC4115. Applications Low Frequency Amplifier. 文件：981.27 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1585	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SA1585E	文件：224.16 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.2V (Typ.)(IC/IB =-2A/-0.1A) APPLICATION Excellent current gain characteristics For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM, DVD-ROM, Note book PC, etc.) 文件：224.16 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1585S	文件：64.09 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PD : 0.4W (Tamb=25℃) Collector current I CM : -2A Collector-base voltage V(BR)CBO : -20V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.09 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA1585S	文件：132.01 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PD : 0.4W (Tamb=25℃) Collector current I CM : -2A Collector-base voltage V(BR)CBO : -20V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：132.01 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1585S	文件：836.08 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEA TURES ● Low VCE(sat). ● Excellent DC current gain characteristics. ● Power dissipation 文件：836.08 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1585S	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.2V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：72.21 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1585S	文件：55.9 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisture Sensitivity Level 1 • Power dissipation: PD = 0.4W(Tamb=25°C) • Colle 文件：55.9 Kbytes 页数：1 Pages	MCC	MCC

晶体管资料

型号：
2SA1585(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
240MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1282A,2SA1297,2SB738,2SB739,2SB822,2SB892,2SB911,2SB926,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
G-224
vtest：
20
htest：
240000000
atest：
2
wtest：
0.4

技术参数

PCM(W)：
0.35
IC(A)：
2
VCBO(V)：
20
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
6
hFEMin：
120
hFEMax：
560
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.2
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
SOT-23

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