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2SA1579	文件：79.69 Kbytes Page：4 Pages	丝印：RR；Package：SOT-323；High-voltage Amplifier Transistor (-120V, -50mA) Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = −120V) 2) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S. 文件：79.69 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1579	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	丝印：RR；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Power dissipation.(PC=200mW) ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● General purpose application. 文件：152.67 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1579	文件：295.35 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) ● Complements the 2SC4102 文件：295.35 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1579	文件：846.97 Kbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) ● Complements the 2SC4102 文件：846.97 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1579	文件：427.1 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High Breakdown Voltage. (BVCEO = -120V) • Complementary of the 2SC4102 文件：427.1 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1579	文件：1.91822 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) Complements the 2SC4102 文件：1.91822 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1579FRA	文件：1.39084 Mbytes Page：8 Pages	丝印：R；Package：SOT-323；High-voltage Amplifier Transistor (-120V, -50mA) Features 1)High breakdown voltage. (BVCEO=-120V) 2)Complements the 2SC4102 FRA. Application HIGH VOLTAGE AMPLIFIER 文件：1.39084 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1579U3HZG	文件：1.48636 Mbytes Page：10 Pages	丝印：R；Package：SOT-323；High-voltage Amplifier Transistor (-120V, -50mA) Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO=-120V) 2) Complements the 2SC4102U3 HZG Application HIGH VOLTAGE AMPLIFIER 文件：1.48636 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1579W	文件：133.13 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Power dissipation.(PC=200mW) ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● General purpose application. 文件：133.13 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1575	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	Wide-Band Amplifier Applications 文件：53.34 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SA1575
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
400MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFN17,BFN19,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
200
htest：
400000000
atest：
0.1
wtest：
0

详细参数

型号：
2SA157
制造商：
SANYO
功能描述：
omo 200V 0.1A 60 to 120 PCP Tape & Reel
制造商：
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述：
TRANS PNP HI F 200V 0.1A SOT89
制造商：
Sanyo
功能描述：
0

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