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2SA1390	文件：23.87 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency amplifier 文件：23.87 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SA1391	文件：183.81 Kbytes Page：5 Pages	Low-Noise AF Amp Applications Low Noise AF Amp Applications Features • Adoption of FBET process. • AF amp. • Low-noise use. 文件：183.81 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1391	文件：69.01 Kbytes Page：1 Pages	HSTM PACKAGE SERIES Application VHF Amp, FM RF MIX VHF RF Amp, VHF TV Application High lyfs\| Low Noise High lyfst Low Noise High lyfs! Low Noise High lyfs! Low Noise 1 Chip High Yfs! Low Noise 1 Chip High Yfs! Low Noise Application Condenser Microphone Condenser Microphone Condenser Microphone 文件：69.01 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1392	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	AF Amp Applications AF Amp Applications Features • Adoption of FBET process. • AF amp. 文件：117.54 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1394	文件：173.29 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA1394 is PNP silicon epitaxial transistor designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier application. FEATURES ● Easy mount by eliminating Insulation Sheet and Bushing. ● Low Collector Saturation Voltage. ● High Switching Speed. ● Compl 文件：173.29 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1395	文件：170.53 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA1395 is PNP silicon epitaxial transistor designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier application. 文件：170.53 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1395	文件：289.93 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING 文件：289.93 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1395	文件：113.96 Kbytes Page：2 Pages	High Switching Speed DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.6V(Max)@ IC= -1A ·High Switching Speed ·Complement to Type 2SC3567 APPLICATIONS ·Designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier applications. 文件：113.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1395	文件：188.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.6V(Max)@ lc=-1A • High Switching Speed • Complement to Type 2SC3567 APPLICATIONS • Designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier applications. 文件：188.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1396	文件：190.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.6V(Max)@ lc=-5A • High Switching Speed • Complement to Type 2SC3568 APPLICATIONS • Designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier applications. 文件：190.09 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SA1394
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1388,2SA1469,2SB945,2SB1016,2SB1292,2SB1294,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-80
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-12
IC (A) @25 °C：
-5
VCE(sat) (V) max.：
-0.6
hFE min.：
40
hFE max.：
200
Pc (W)：
25
Package Type：
MP-45
Production Status：
EOL

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