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2SA1386A	文件：148.99 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO = -160V(Min)-2SA1386 = -180V(Min)-2SA1386A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SC3519/A APPLICATIONS • Designed for audio and general purpose applications 文件：148.99 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1386A	文件：189.57 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC3519/3519A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：189.57 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1386A	文件：124.24 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,130W) 文件：124.24 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SA1386A	文件：174.55 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC3519/3519A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：174.55 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1386B	文件：232.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor FEATURES • Recommend for 105W high Fiderity audio frequency amplifier output stage • Complement to type 2SC3519B & 2SC3519B-A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：232.24 Kbytes 页数：3 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
2SA1387	文件：169.98 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High speed switching time • High DC current gain APPLICATIONS • High current switching applications 文件：169.98 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1387	文件：156.05 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High speed switching time • High DC current gain APPLICATIONS • High current switching applications 文件：156.05 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1387	文件：212.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High speed switching time • High DC current gain APPLICATIONS • High current switching applications 文件：212.32 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1387	文件：183.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 150(Min.)@lc=-1A • High Switching Speed • Low Collector Saturation Voltagetf -0.4V(Max)@ lc= -3A APPLICATIONS • Designed for high current switching applications. 文件：183.98 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1388	文件：37.45 Kbytes Page：1 Pages	2SA1388 Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：37.45 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SA1385
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244A,2SA1244,2SA1401,2SB1203,2SB1204,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
10

详细参数

型号：
2SA138
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Cut Tape
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Transistor,PNP,60V/5A
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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